专利名称 ---【 一种硅片刻蚀的方法、在硅片表面制备减反射绒面的方法和在硅片表面刻蚀特定图形的方法 】

基本信息
申请号
CN201910554252.1
申请日
2019.06.25
公开(公告)号
CN110265296A
公开(公告)日
2019.09.20
申请(专利权)人
中国科学院电工研究所
申请人地址
100190 北京市海淀区中关村北二条6号中科院电工所
发明人
刘欢; 赵雷; 王文静; 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供了一种硅片刻蚀的方法、在硅片表面制备减反射绒面的方法和在硅片表面刻蚀特定图形的方法,属于半导体刻蚀技术领域。本发明以固体MnO2作为氧化剂,而HF和其他非氧化性酸用于提供可增强固体MnO2氧化性的酸性环境,在酸性环境中,固体MnO2表现出氧化性,与硅片接触可以将硅氧化,生成的SiO2被HF酸刻蚀,露出新的硅表面与固体MnO2接触,继续被氧化,随着反应进行,在硅片与固体MnO2接触的位置形成刻蚀结构,固体MnO2最终被还原成可溶性的Mn2+离子。该方法可在硅片表面需要刻蚀的地方定点刻蚀,还可用于多晶硅片表面减反射绒面的制备,不需要使用贵金属,也不需要使用硝酸,即可得到反射率低的绒面。
主权项

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L21/306
IPC分类号
H01L21/306; H01L31/18; H01L31/0236

 

法律状态信息
法律状态公告日
2019.10.22
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/306
法律状态公告日
2019.09.20
法律状态
公开 法律状态信息
公开

 

代理信息
代理机构名称
北京高沃律师事务所 11569
代理人姓名
刘潇

 

被引专利信息
引用阶段 被引时间 专利号 申请人 公开时间

 

被引非专利信息
引用阶段 被引时间 被引文档类型 被引文档信息
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