专利名称 ---【 N沟道SiC IGBT器件的制作方法 】

基本信息
申请号
CN202010328453.2
申请日
20200423
公开(公告)号
CN111508837A
公开(公告)日
20200807
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
冯旺;田晓丽;杨雨;白云;陆江;刘新宇; 专利类型 发明专利
摘要
本说明书提供一种N沟道SiC IGBT器件的制作方法,包括:形成重掺杂的N型SiC衬底;在SiC衬底的C面生成P型重掺杂SiC集电层,在SiC衬底的Si面生成N型轻掺杂的SiC漂移层;在SiC漂移层的Si面制作MOS结构。本说明书提供的制作方法无需形成衬底、N型缓冲层、N型漂移层、N型重掺杂缓冲层和P型重掺杂集电层层叠结构,再研磨掉衬底和N型缓冲层的结构,因此可以减小研磨量,并减小研磨可能造成应力而使得器件层结构损坏的问题。实际应用中,即使本说明书提供的方法在研磨重掺杂N型SiC衬底使得层结构因为应力损坏,但是此时层结构也仅有重掺杂N型SiC衬底和P型重掺杂SiC集电层,相应的成本损失也较小。
主权项
1.一种N沟道SiC IGBT器件的制作方法,其特征在于,包括:形成重掺杂的N型SiC衬底;在所述SiC衬底的C面生成P型重掺杂SiC集电层,以及在所述SiC衬底的Si面生成N型轻掺杂的SiC漂移层;在SiC漂移层的Si面制作MOS结构。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L21/331

 

法律状态信息
法律状态公告日
20200807
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010328453 20200807 公开 公开
法律状态公告日
20200901
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN202010328453 20200901 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/331

 

代理信息
代理机构名称
北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386
代理人姓名
张通


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