专利名称 ---【 一种低损耗分裂电抗型限流断路器 】

基本信息
申请号
CN202011279653.X
申请日
20201116
公开(公告)号
CN112366668A
公开(公告)日
20210212
申请(专利权)人
中国科学院电工研究所;内蒙古电力(集团)有限责任公司;山东泰开高压开关有限公司
申请人地址
100190 北京市海淀区中关村北二条6号
发明人
邱清泉;郭红兵;杨玥;宮瑞磊;肖培伟;刘增宝;张志丰;肖立业;郑璐; 专利类型 发明专利
摘要
本发明提出一种低损耗分裂电抗型限流断路器,包括主回路和电流转移回路,所述主回路和电流转移回路并联连接,主回路由断路器Ks和电抗器Ls串联组成,电流转移回路中包括n个紧耦合双绕组电抗器限流模块,所述紧耦合双绕组电抗器限流模块由紧耦合双绕组电抗器与断路器模块串联组成,n≥1;其中,所述电流转移回路采用限流器模式:紧耦合双绕组电抗器的第一绕组Ln1和第一断路器Kn1先串联,然后和紧耦合双绕组电抗器的第二绕组Ln2并联,形成紧耦合双绕组电抗器限流模块;采用断路器模式时紧耦合双绕组电抗器的第一绕组Ln1和第一断路器Kn1串联,紧耦合双绕组电抗器的第一绕组Ln2和第二断路器Kn2串联,然后两个支路并联,形成紧耦合双绕组电抗器开断模块。
主权项
1.一种低损耗分裂电抗型限流断路器,其特征在于:所述的低损耗分裂电抗型限流断路器包括主回路和电流转移回路,所述主回路和电流转移回路并联连接,主回路由断路器Ks和电抗器Ls串联组成,电流转移回路中包括n个紧耦合双绕组电抗器限流模块,所述紧耦合双绕组电抗器限流模块由紧耦合双绕组电抗器与断路器模块串联组成,n≥1;其中,所述电流转移回路采用限流器模式:紧耦合双绕组电抗器的第一绕组Ln1和第一断路器Kn1先串联,然后和紧耦合双绕组电抗器的第二绕组Ln2并联,形成紧耦合双绕组电抗器限流模块;紧耦合双绕组电抗器的漏感Ldn=(Ln1+Ln2-2×Mn)/4,Ln1和Ln2分别为n个紧耦合双绕组电抗器第一绕组和第二绕组的自感,Mn为第n个紧耦合双绕组电抗器第一绕组和第二绕组的互感,主回路电抗器Ls的电感Ls≤(Ld1+Ld2+…+Ldn),稳态运行时,有50%以上的电流从主回路电抗器Ls流过,紧耦合电抗器的电流和损耗能够降低50%以上。

 

IPC信息
IPC主分类号
H02H9/02

 

法律状态信息
法律状态公告日
20210212
法律状态
公开 法律状态信息
CN202011279653 20210212 公开 公开

 

代理信息
代理机构名称
北京科迪生专利代理有限责任公司 11251
代理人姓名
张乾桢


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