专利名称 ---【 热堆式气体质量流量传感器及其制备方法 】

基本信息
申请号
CN202011332941.7
申请日
20201124
公开(公告)号
CN112484800A
公开(公告)日
20210312
申请(专利权)人
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址
200050 上海市长宁区长宁路865号
发明人
王家畴;黄涛;李昕欣; 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供一种热堆式气体质量流量传感器及其制备方法,包括:(111)单晶硅衬底;与衬底相连接的隔热薄膜,且共同围成一个隔热腔体;加热元件;一对呈“<>”状的热电堆,位于隔热薄膜下表面且对称分布于加热元件两侧,每个热电堆尖端处两条轮廓线的夹角为120°,热电堆由至少一对悬挂于隔热薄膜下表面的沿<110>晶向的P+单晶硅热偶臂和N+单晶硅热偶臂组成的P+单晶硅‑N+单晶硅热偶对构成,两个热偶臂及热电堆与加热元件之间通过隔离槽隔离。本发明的结构选择塞贝克系数最大的单晶硅,且可在有限的尺寸下将热偶臂的等效长度做的更长,提高传感器的灵敏度;另外还可增大P+单晶硅‑N+单晶硅热偶对热端与单晶硅加热元件之间的间距,调整量程和测量精度。
主权项
1.一种热堆式气体质量流量传感器,其特征在于,所述传感器包括:(111)单晶硅衬底,具有凹槽,所述凹槽开设于所述衬底的上表面;隔热薄膜,覆盖于所述凹槽上方,且与所述衬底相连接,所述隔热薄膜与所述衬底共同围成一个隔热腔体;单晶硅加热元件,位于所述隔热薄膜下表面,所述单晶硅加热元件沿<111>晶向;一对呈“<>”状的热电堆,位于所述隔热薄膜下表面且对称分布于所述单晶硅加热元件的两侧,每个所述热电堆的尖端处两条轮廓线的夹角为120°,每个所述热电堆由至少一对+ + + +悬挂于所述隔热薄膜下表面的P 单晶硅热偶臂和N 单晶硅热偶臂组成的P 单晶硅‑N 单晶+ +硅热偶对构成,相邻两所述P 单晶硅‑N 单晶硅热偶对冷端由位于所述隔热薄膜上的金属层+ +通过所述隔热薄膜上的通孔实现互连,每个所述P 单晶硅‑N 单晶硅热偶对热端由位于所述+隔热薄膜上的所述金属层通过所述隔热薄膜上的通孔实现互连,其中,所述P 单晶硅热偶+臂和所述N 单晶硅热偶臂沿<110>晶向;+ +所述P 单晶硅热偶臂和所述N 单晶硅热偶臂之间通过所述隔热薄膜上的第一隔离槽隔离,所述热电堆与所述单晶硅加热元件之间通过所述隔热薄膜上的第二隔离槽隔离。+

 

IPC信息
IPC主分类号
G01F1/86

 

法律状态信息
法律状态公告日
20210312
法律状态
公开 法律状态信息
CN202011332941 20210312 公开 公开

 

代理信息
代理机构名称
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人姓名
贺妮妮


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