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[发明专利] 偏振检测装置中器件误差的测量方法 - CN101936774B
申请人:中国科学院上海光学精密机械研究所
申请年:2010
主分类号:G01J4/04
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
一种偏振检测装置中器件误差的测量方法,所述的偏振检测装置包括沿装置系统光轴依次设置的相位延迟器件、检偏器和光电探测器,该光电探测器的输出接信号处理系统,其特点在于,斯托克斯参数已知的线偏振光入... -
[发明专利] 产生LTE PRACH基带信号的方法及其系统 - CN101938329B
申请人:中国科学院计算技术研究所
申请年:2010
主分类号:H04L1/00
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本发明公开了产生LTE PRACH基带信号的方法及系统,方法包括:步骤1,依据LTE协议规定计算出LTE PRACH基带信号产生所需的参数;步骤2,计算前导序列的DFT序列的相位值,依次写入频... -
[发明专利] 一种可调整量程的堆叠测量电路 - CN101937091B
申请人:中国科学院微电子研究所
申请年:2007
主分类号:G01T1/02
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本发明涉及电离辐射剂量测量领域,公开了一种可调整量程的堆叠测量电路,包括:一只或多只基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计、工作模式选择开关SW以及恒流源Isd;基于绝缘体上硅的双探头PMO... -
[发明专利] ATP含量的检测方法及ATP适配体传感器 - CN101936945B
申请人:中国科学院长春应用化学研究所
申请年:2010
主分类号:G01N27/48
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本发明实施例公开了一种ATP含量的检测方法及ATP适配体传感器,ATP含量的检测方法包括:提供表面固定有DNA单链的金电极,DNA单链序列如SEQ ID No.1所示;提供部分DNA双链,部分... -
[发明专利] 一种两级热管式太阳能空气加热器 - CN101936608B
申请人:中国科学院电工研究所
申请年:2010
主分类号:F24J2/32
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
一种两级热管式真空管太阳能空气加热器,包括联集热管(1)、直管式热管(2)、镀膜真空管(7)。镀膜真空管(7)内插有直管式热管(2),镀膜真空管(7)的内管和直管式热管(2)之间插入环状金属内... -
[发明专利] 一种叠前深度偏移方法 - CN101937100A
申请人:中国科学院地质与地球物理研究所
申请年:2010
主分类号:G01V1/28
被引非专利数:0
被引专利数:45
被引总数:45
本发明涉及地震勘探领域,具体的是指一种叠前深度偏移方法。该方法包括:对地震数据进行偏移速度分析;通过射线追踪计算走时、弧长、出射角、入射角;进行偏移孔径计算;利用Kirchhoff积分法矢量偏... -
[发明专利] 一种用于废水处理的复合交联吸附剂的制备方法 - CN101934223A
申请人:中国科学院生态环境研究中心
申请年:2010
主分类号:B01J20/26
被引非专利数:0
被引专利数:10
被引总数:10
本发明公开了一种用于废水处理的复合交联吸附剂的制备方法,其制备方法为:首先制备生物大分子物质溶液,然后加热溶解聚乙烯醇(PVA),再将PVA溶液、生物大分子物质溶液及矿物粉末混合搅拌均匀,然后... -
[发明专利] 一种杀虫增效蛋白的制备方法及用途 - CN101942462B
申请人:中国科学院武汉病毒研究所
申请年:2010
主分类号:C12N15/34
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本发明公开了一种杀虫增效蛋白的制备方法及用途,其步骤:A) 根据CpGV orf13的序列,设计引物,以CpGV基因组DNA为模板进行PCR扩增截短片段;B) PCR产物用琼脂糖凝胶电泳进行鉴... -
[发明专利] 新闻视频的搜索方法和装置 - CN101944111B
申请人:中国科学技术大学
申请年:2010
主分类号:G06F17/30
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本发明实施例提供了一种新闻视频的搜索方法及装置。该方法主要包括:基于语义关联信息构建搜索新闻视频网站的本体知识,利用所述本体知识从互联网中搜索出新闻视频网站;对所述新闻视频网站进行及时性的评价... -
[发明专利] 具有沟槽结构的SOI高压功率器件芯片的制备方法 - CN101944505B
申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请年:2010
主分类号:H01L21/77
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本发明的具有沟槽结构的SOI高压功率器件芯片的制备方法,首先在SOI基板表面开设凹陷区和至少一隔离沟槽,再在凹陷区填充氧化物,并对隔离沟槽和待制备低压器件的局部区域同时进行氧化,使相对于所述隔...
