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[实用新型] 一种高压原位测量拉曼系统 - CN202101940U
申请人:中国科学院高能物理研究所
申请年:2011
主分类号:G01N21/65
被引非专利数:0
被引专利数:5
被引总数:5
本实用新型公开了一种简单有效的高压原位测量拉曼系统,其包括激光光源、激光传输光路、拉曼信号的激发、收集和传输光路、显微观察光路以及拉曼信号的探测和处理设备。本实用新型的系统克服了高压拉曼测试环... -
[实用新型] 激光功率控制系统和激光加温系统 - CN202210617U
申请人:中国科学院高能物理研究所
申请年:2011
主分类号:H01S3/10
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本实用新型公开了一种激光功率控制系统,其包括光学偏振模块、机电控制系统、激光功率检测系统、温度监测系统和显微观察系统,其中,机电控制系统包括旋转台和步进电机控制器,激光功率检测系统包括功率计和... -
[实用新型] 一种可调整直径的变形测定磁环装置 - CN202133372U
申请人:中国科学院武汉岩土力学研究所
申请年:2011
主分类号:G01B7/24
被引非专利数:0
被引专利数:2
被引总数:2
一种可调整直径的变形测定磁环装置,其特征是可调整直径的变形测定磁环4由四~八个圆弧状结构单元构成,每个圆弧状结构弧度为45~90°、长度为40~60mm;这四~八个圆弧状可伸缩结构单元拼接起来... -
[实用新型] 半导体器件 - CN202534635U
申请人:中国科学院微电子研究所
申请年:2011
主分类号:H01L21/336
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
一种半导体器件,所述半导体器件包括:提供硅基底,所述硅基底上形成有栅堆叠结构,所述硅基底的晶面指数为{100};形成层间介质层,覆盖所述硅基底的表面;在所述层间介质层和/或栅堆叠结构中形成第一... -
[实用新型] 一种逆流色谱仪及其专用逆流色谱柱 - CN202166634U
申请人:中国科学院生物物理研究所
申请年:2011
主分类号:G01N30/60
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本实用新型公开一种逆流色谱仪及其专用逆流色谱柱。所述逆流色谱柱包括圆盘体、与所述圆盘体密封配合的圆盘盖以及贯穿所述圆盘体和圆盘盖的中心的中空自传轴,所述中空自转轴与所述圆盘体和圆盘盖固定连接;... -
[实用新型] 一种真随机数产生装置 - CN202133996U
申请人:中国科学院西安光学精密机械研究所
申请年:2011
主分类号:G06F7/58
被引非专利数:0
被引专利数:12
被引总数:12
本实用新型涉及一种真随机数产生装置,包括单光子随机脉冲源、时钟单元、基于FPGA的随机位提取模块以及计算机,基于FPGA的随机位提取模块包括控制器、计数器、多位FIFO存储器、缓存单元、比较器... -
[实用新型] 一种适用于悬浮状态细胞原子力显微镜在位成像的基底 - CN202204831U
申请人:国家纳米科学中心
申请年:2011
主分类号:G01Q30/20
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本实用新型涉及一种适用于悬浮状态细胞原子力显微镜在位成像的基底,其特征在于,该基底包括板状结构和位于该板状结构的至少一个表面上的多个微柱。利用本实用新型的基底进行悬浮状态细胞的在位成像检测,能... -
[实用新型] 一种源漏区 - CN202585380U
申请人:中国科学院微电子研究所
申请年:2011
主分类号:H01L21/768
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
一种源漏区,包括:第一区,至少部分厚度的所述第一区位于衬底内;第二区,所述第二区形成于所述第一区上,所述第二区的材料与所述第一区的材料不同。一种源漏区的形成方法,包括:在衬底中位于栅堆叠结构两... -
[实用新型] 一种隔离区、半导体器件 - CN202585379U
申请人:中国科学院微电子研究所
申请年:2011
主分类号:H01L21/76
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
一种隔离区(142),所述隔离区(142)包括嵌于半导体基底(100)中的第一凹槽和填充所述第一凹槽的绝缘层,所述第一凹槽包括第一侧壁(122)、底壁和由所述底壁延伸并接于所述第一侧壁(122... -
[实用新型] 晶体管 - CN202633241U
申请人:中国科学院微电子研究所
申请年:2011
主分类号:H01L21/425
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本实用新型提供了一种晶体管。该晶体管(100)包括:半导体衬底(102);形成在所述半导体衬底上的栅极电介质(104);形成在所述栅极电介质上的栅极(106);位于所述栅极电介质下方的沟道区(...
