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[实用新型] 晶体管 - CN202633240U
申请人:中国科学院微电子研究所
申请年:2011
主分类号:H01L21/336
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本实用新型涉及一种晶体管。根据本实用新型的晶体管,包括:半导体衬底;形成在所述半导体衬底上的栅极电介质;形成在所述栅极电介质上的栅极;位于所述半导体衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区,其... -
[实用新型] 晶体管 - CN202633241U
申请人:中国科学院微电子研究所
申请年:2011
主分类号:H01L21/425
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本实用新型提供了一种晶体管。该晶体管(100)包括:半导体衬底(102);形成在所述半导体衬底上的栅极电介质(104);形成在所述栅极电介质上的栅极(106);位于所述栅极电介质下方的沟道区(... -
[实用新型] 一种半导体器件 - CN202633239U
申请人:中国科学院微电子研究所
申请年:2011
主分类号:H01L21/336
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本实用新型公开了一种半导体器件,包括:衬底,所述衬底为碳化硅、体硅、掺杂或未掺杂的硅玻璃中的一种或其组合;石墨烯层或碳纳米管层,所述石墨烯层或碳纳米管层形成于所述衬底上;栅极结构,所述栅极结构... -
[实用新型] 一种气-液-固三相反应器 - CN202590747U
申请人:中国科学院大连化学物理研究所
申请年:2011
主分类号:B01J8/00
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本实用新型涉及一种反应物料为气-液-固三相反应器,包括反应器筒体;筒体内沿筒体的轴向从下至上依次设置有催化剂支撑盘、气液分配盘和液体分布管;催化剂支撑盘、液体分布管和气液分配盘沿筒体的径向设置... -
[实用新型] 一种半导体结构 - CN202601574U
申请人:中国科学院微电子研究所
申请年:2011
主分类号:H01L21/336
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本实用新型提供了一种半导体结构,所述半导体结构包括,栅极堆叠,所述栅极堆叠形成于有源区上且暴露剩余的所述有源区,还包括:第一接触层和第二接触层,所述第一接触层和所述第二接触层嵌于所述有源区中,... -
[实用新型] 混合沟道半导体器件 - CN202601603U
申请人:中国科学院微电子研究所
申请年:2011
主分类号:H01L21/8238
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
提供一种混合沟道半导体器件,包括:第一半导体层和覆盖在所述第一半导体层上的第二半导体层,所述第一半导体层包括NMOS区域和PMOS区域,所述第一半导体层和第二半导体层中的一个对电子的传导率高于... -
[实用新型] 一种半导体结构 - CN202601575U
申请人:中国科学院微电子研究所
申请年:2011
主分类号:H01L21/336
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本实用新型提供一种半导体结构,包括:半导体衬底;栅极堆叠,其形成于所述半导体衬底上;源/漏区,其形成于半导体衬底中;层间介质层,其覆盖所述栅极堆叠和所述源/漏区;接触孔,其贯穿所述层间介质层并... -
[实用新型] 一种荧光免疫层析试纸条 - CN202599957U
申请人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请年:2011
主分类号:G01N33/558
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本实用新型揭示了一种荧光免疫层析试纸条,以表面粘贴有一层深色胶条的支撑固定粘衬板为基底,该基底呈条状结构,且在基底的深色胶条表面从样品端起依次设有样品纤维层、荧光标记纤维层、毛细管层析反应层及... -
[实用新型] 光频标离子荧光的探测装置 - CN202583067U
申请人:中国科学院武汉物理与数学研究所
申请年:2011
主分类号:G01N21/64
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本实用新型公开了一种光频标离子荧光的探测装置,它包括产生离子荧光的离子阱系统,将离子荧光的光信号转换成电脉冲信号的光电倍增管,放大电脉冲信号的前置放大器,它还包括对放大后的电脉冲信号在单位时间... -
[实用新型] 薄膜沉积腔及应用该薄膜沉积腔的薄膜沉积设备 - CN202576547U
申请人:中国科学院物理研究所
申请年:2011
主分类号:C23C14/28
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本实用新型公开了一种薄膜沉积腔及应用该薄膜沉积腔的薄膜沉积设备。该薄膜沉积设备包括一薄膜沉积腔,该薄膜沉积腔包括:腔体外壳,腔体外壳围成薄膜沉积腔的腔体;靶材托架,设置于腔体的中部,用于放置由...
