| 申请年 | 2010（2） |
| 授权状态 | 授权（2） |
| 授权年 |
2012（2）
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| 最终法律状态 |
专利申请权、专利权的转移（2）
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| 公开年 |
2011（2）
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| 专利类型 | 发明专利（2） |
| 申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所（2）
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| 排序 | 申请日升序 申请日降序 公开日升序 公开日降序 被引非专利数 被引专利数 被引总数 |
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[发明专利] 具有沟槽结构的SOI高压功率器件芯片的制备方法 - CN101944505B
申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所 申请年:2010 主分类号:H01L21/77
被引非专利数:0 被引专利数:0 被引总数:0
本发明的具有沟槽结构的SOI高压功率器件芯片的制备方法，首先在SOI基板表面开设凹陷区和至少一隔离沟槽，再在凹陷区填充氧化物，并对隔离沟槽和待制备低压器件的局部区域同时进行氧化，使相对于所述隔... -
[发明专利] 凹槽中焊接实现焊料倒扣焊的工艺方法 - CN101996906A
申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所 申请年:2010 主分类号:H01L21/60
被引非专利数:0 被引专利数:3 被引总数:3
本发明涉及一种凹槽中焊接实现焊料倒扣焊的工艺方法，其特征在于：(a)使用普通硅片作为倒扣焊基板，在基板上采用TMAH湿法腐蚀形成斜槽；(b)采用全加法工艺，在斜槽内制作铜焊盘；不必制备阻焊层；...
