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[发明专利] 一种鸟巢烷类二萜化合物在制备抗肿瘤药物中的应用 - CN102846588A
申请人:中国科学院微生物研究所
申请年:2012
主分类号:A61K31/22(2006.01)I
被引非专利数:4
被引专利数:0
被引总数:4
本发明公开了式Ⅰ所示的化合物在制备抑制肿瘤细胞增殖的药物或预防和/或治疗肿瘤的药物中的应用。式Ⅰ中,R1为乙酰基或H,R2为乙酰基或H。实验证明,采用MTT法测试了化合物11-O-acetyl... -
[发明专利] 一种固体燃料的高温水蒸气热解-裂解-气化装置及方法 - CN102849676A
申请人:中国科学院过程工程研究所
申请年:2011
主分类号:C01B3/02(2006.01)I
被引非专利数:0
被引专利数:3
被引总数:3
本发明涉及固体燃料综合利用领域,具体地,本发明涉及一种固体燃料的高温水蒸气热解-裂解-气化装置及方法。所述方法为:将O2和H2燃烧产生的高温水蒸气通入固体燃料中进行低温热解,析出挥发分,得到油... -
[发明专利] 一种四氧化三钴柱状结构材料及其制备方法 - CN102849804A
申请人:中国科学院过程工程研究所
申请年:2012
主分类号:C01G51/04(2006.01)I
被引非专利数:0
被引专利数:5
被引总数:5
本发明提供了一种四氧化三钴柱状结构材料及其制备方法,属于无机材料领域。该制备方法具体包括:在乙酸钴的水溶液中,加入一定体积比的丙三醇,充分混合,再加入适量的尿素作为沉淀剂,分散均匀,将混合溶液... -
[发明专利] 一种石油钻机的智能钻进控制系统和方法 - CN102852511A
申请人:中国科学院自动化研究所
申请年:2012
主分类号:E21B44/00(2006.01)I
被引非专利数:0
被引专利数:3
被引总数:3
本发明公开了一种用于石油钻机钻进控制的智能钻进控制系统和控制方法。智能钻进控制系统包括钻进驱动模块、钻进检测模块、钻进控制模块。智能控制方法为具有参数自调节能力的模糊控制算法,算法由两个控制环... -
[发明专利] 一种科学级CCD的非线性度标定方法 - CN102853903A
申请人:中国科学院西安光学精密机械研究所
申请年:2011
主分类号:G01J1/00(2006.01)I
被引非专利数:0
被引专利数:4
被引总数:4
本发明涉及一种基于激光干涉对科学级CCD的线性度指标进行标定的方法。该述方法包括以下步骤:1)获取已知光场强度分布的干涉光场并将其入射至科学级CCD;2)科学级CCD接收来自步骤1)的已知光场... -
[发明专利] 实现整机传函和镜头光学传递函数检测的架构布局方法 - CN102853999A
申请人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请年:2012
主分类号:G01M11/02(2006.01)I
被引非专利数:0
被引专利数:7
被引总数:7
实现整机传函和镜头光学传递函数检测的架构布局方法,涉及光学仪器检验技术领域,解决现有检测技术无法实现将镜头光学传递函数检测和整机传递函数检测整合到同一个平行光路测量系统中而导致平行光路系统的设... -
[发明专利] 一种于多层石墨烯表面制备高k栅介质的方法 - CN102856184A
申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请年:2012
主分类号:H01L21/28(2006.01)I
被引非专利数:0
被引专利数:2
被引总数:2
本发明提供一种于多层石墨烯表面制备高k栅介质的方法,首先于两层或两层以上的石墨烯表面采用直流磁控溅射法制备金属薄膜,以在所述石墨烯表面引入悬挂键;然后采用化学腐蚀法去除所述金属薄膜,并对所述石... -
[发明专利] 一种半导体结构及其制造方法 - CN102856360A
申请人:中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请年:2011
主分类号:H01L29/40(2006.01)I
被引非专利数:0
被引专利数:5
被引总数:5
本发明提供了一种半导体结构,该结构包括衬底、半导体基体、背栅介质层、背栅、空腔、栅极堆叠、侧墙、源/漏区,其中所述栅极堆叠位于所述半导体基体之上,所述侧墙位于所述栅极堆叠的侧壁上,所述源/漏区... -
[发明专利] 一种半导体结构及其制造方法 - CN102856376A
申请人:中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请年:2011
主分类号:H01L29/78(2006.01)I
被引非专利数:0
被引专利数:4
被引总数:4
本发明提供了一种半导体结构,该结构包括衬底、半导体基体、半导体辅助基体层、空腔、栅极堆叠、侧墙、源/漏区,其中所述栅极堆叠位于所述半导体基体之上,所述侧墙位于所述栅极堆叠的侧壁上,所述源/漏区... -
[发明专利] 一种测量冻土试验中相变过程温度和电阻率分布的装置 - CN102854384A
申请人:中国科学院寒区旱区环境与工程研究所
申请年:2011
主分类号:G01R27/02(2006.01)I
被引非专利数:0
被引专利数:6
被引总数:6
本发明公开了一种测量冻土试验中相变过程温度和电阻率分布的装置。其结构特征是反应釜放置在恒温箱内;反应釜内设置一绝缘套筒;反应釜两端的冷浴装置控制递增或者递减的温度梯度;连接反应釜的输入和输出管...
