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[发明专利] 一种CMOS图像传感器 - CN101738841B
申请人:中国科学院半导体研究所
申请年:2009
主分类号:G03B39/00
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本发明公开了一种CMOS图像传感器,该CMOS图像传感器包括像素阵列、曝光控制电路、行列选通电路和信号输出电路,其中:像素阵列包含多个像素点,每个像素点由多个子像素组成,各像素点中相对位置相同... -
[发明专利] 一种基于光子晶体空气桥结构的慢光波导结构 - CN101963736B
申请人:中国科学院半导体研究所
申请年:2010
主分类号:G02F1/365
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本发明公开了一种基于光子晶体空气桥结构的慢光波导结构,该慢光波导结构采用线缺陷光子晶体结构,包括纵向结构及横向结构,纵向结构为空气桥多层结构,从顶层到底层依次为空气层/半导体材料层/空气层/衬... -
[发明专利] 形貌可控ZnSe纳米颗粒的无膦热注入制备方法 - CN102730652A
申请人:中国科学院半导体研究所
申请年:2012
主分类号:C01B19/04
被引非专利数:0
被引专利数:1
被引总数:1
一种形貌可控ZnSe纳米颗粒的无膦热注入的制备方法,包括如下步骤:将金属有机盐试剂分散在第一有机溶剂中;上述含有金属有机盐的第一有机溶液在空气中磁力搅拌,同时升温,保持预定时间后,使得其中的金... -
[发明专利] 吸收变形弹性固定压板 - CN102927095B
申请人:中国科学院半导体研究所
申请年:2012
主分类号:F16B2/22
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
一种吸收变形弹性固定压板,包括:一压块基体,为一连续弯折的长条形状,包括第一U形块体、第二U形块体、第三U形块体和第四U形块体;该第一U形块体包括一第一上片体和一第一下片体,其开口朝向长条形状... -
[发明专利] 一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法 - CN103105325B
申请人:中国科学院半导体研究所
申请年:2013
主分类号:G01N1/28
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本发明公开了一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法。该方法在多种相变材料在水平金属电极间的高精度自对准制备的基础上,通过加电脉冲控制全限制量子点的相变,并且采用TEM对相变过程进行实时监测... -
[发明专利] 一种高功率密度半导体激光器热沉 - CN104682189B
申请人:中国科学院半导体研究所
申请年:2015
主分类号:H01S5/024
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本发明公开了一种高功率密度半导体激光器热沉,包括:进水热沉,为一具有上窄下宽横截面的柱状结构,柱体厚度大于列阵条长度(标准10mm),较窄的上表面用于焊接高密度封住的半导体激光器列阵条叠层。其... -
[发明专利] 一种可变电阻器及包含该可变电阻器的集成电路 - CN105513730A
申请人:中国科学院半导体研究所
申请年:2016
主分类号:H01C10/16
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
一种可变电阻器,包括第一滑动触头和第一电阻,所述第一电阻两端分别为第一端点和第二端点,所述第一滑动触头在所述第一端点和第二端点之间滑动,所述可变电阻器进一步包括:第二电阻,所述第二电阻的两端分... -
[发明专利] 基于放大反馈激光器的啁啾微波产生装置 - CN106067650A
申请人:中国科学院半导体研究所
申请年:2016
主分类号:H01S1/02
被引非专利数:0
被引专利数:2
被引总数:2
一种基于放大反馈激光器的啁啾微波产生装置,包括:任意波形发生器,用于提供随时间变化的电信号;放大反馈激光器,与所述任意波形发生器电性连接,用于依据所述随时间变化的电信号输出模式间距变化的双波长... -
[发明专利] 一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器 - CN108988124B
申请人:中国科学院半导体研究所
申请年:2017
主分类号:H01S5/32
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
本发明公开了一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器,涉及半导体光电子器件技术领域。本发明提出的用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器主要包括:N电极、N型InP衬底、N型InP缓冲层、下限制层... -
[发明专利] 视觉感知和存储器件及其制备方法和应用 - CN109830489A
申请人:中国科学院半导体研究所
申请年:2017
主分类号:H01L27/146
被引非专利数:0
被引专利数:0
被引总数:0
一种视觉感知和存储器件,包括形成于同一衬底上两个相邻的区域并且串联的电阻转换存储器和光电探测器,其中所述电阻转换存储器包括所述衬底上的第一电极、所述第一电极上的忆阻层和所述忆阻层上的第二电极,...
