专利名称 ---【 低损耗有机聚合物阵列波导光栅的蒸汽回溶制备方法 】

基本信息
申请号
CN200510119060.6
申请日
20051208
公开(公告)号
CN100410707C
公开(公告)日
20070117
申请(专利权)人
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请人地址
130031吉林省长春市东南湖大路16号
发明人
张大明;鄂书林;张海明;邓文渊;张希珍 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及一种有机聚合物阵列波导光栅制备方法。在硅衬底上旋涂有机聚合物波导下包层和芯层材料并分别进行烘干固化;蒸发或溅射金属膜,进行光刻和氧反应离子刻蚀,将图形之外的有机聚合物波导芯层刻蚀掉;放入有机蒸汽中,控制温度和时间,使有机聚合物波导芯层侧壁粗糙部分逐渐溶化而变得光滑;腐蚀掉金属层,旋涂有机聚合物波导上包层材料,烘干固化得到低损耗有机聚合物阵列波导光栅波分复用/解复用器。由于采用本发明的蒸汽回溶技术,减小了有机聚合物阵列波导光栅的波导侧壁粗糙度,有效地降低了由于波导侧壁粗糙引起的散射损耗,从而制作出了低损耗有机聚合物阵列波导光栅波分复用/解复用器件,使阵列波导光栅的总损耗减小了5-10dB。
主权项
1.?低损耗有机聚合物阵列波导光栅的蒸汽回溶制备方法,其特征在于:其 工艺步骤如下:在硅衬底上先用旋涂法涂覆有机聚合物波导下包层材料后进行 烘干和热交联反应,然后旋涂有机聚合物波导芯层材料并进行烘干和热交联反 应;再在有机聚合物波导芯层材料上蒸发或溅射金属膜并在金属膜上部涂覆光 刻胶进行光刻,利用位于光刻胶上部的光刻板的不透光区对紫外光进行选择性 遮挡,曝光后去掉光刻板并显影,同时将光刻板上的阵列波导光栅图形转移到 光刻胶和金属膜上;然后进行氧反应离子刻蚀,同时对光刻胶和金属膜进行刻 蚀,当露出金属膜后继续对有机聚合物波导芯层全部刻蚀,形成阵列波导光栅 的有机聚合物波导芯层;将制成的有机聚合物波导芯层置于密闭的饱和有机蒸 汽容器中,在50-70度的温度下对有机聚合物波导芯层侧壁的凹凸部位进行回 溶处理,时间为50-90分钟,在蒸汽的作用下凹凸部位逐渐溶化回缩,从而形 成光滑的有机聚合物波导芯层侧壁;在回溶后去掉金属膜,然后在有机聚合物 波导芯层上旋涂有机聚合物波导上包层材料,烘干并交联反应后即得到低损耗 有机聚合物阵列波导光栅;所述的有机聚合物波导下包层材料和有机聚合物波 导上包层材料相同并均为:A、通式(I)表示的氟化聚酯;B、通式(V)表 示的五氟苯乙烯与甲基丙烯酸环氧丙酯的共聚物;C、通式(VII)表示的甲基丙 烯酸甲酯与甲基丙稀酸环氧丙酯共聚物这三种材料中的一种;所述的有机聚合 物波导芯层材料,是在所述的有机聚合物波导上或下包层材料中加入高折射率 调节剂(VI)或调节合成“有机聚合物波导包层材料”反应物的配比来构成高 折射率的有机聚合物材料,并且所用的有机聚合物波导芯层材料的折射率在1.46 -1.60之间,1.55μm波长下;所述的通式(I)、通式(V)、通式(VII)、通 式(VI)化学式为:

 

IPC信息
IPC主分类号
G02B6/124

 

法律状态信息
法律状态公告日
20070117
法律状态
公开 法律状态信息
CN200510119060 20070117 公开 公开
法律状态公告日
20080723
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN200510119060 20080723 实质审查的生效 实质审查的生效
法律状态公告日
20080813
法律状态
授权 法律状态信息
CN200510119060 20080813 授权 授权
法律状态公告日
20110216
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
CN200510119060 20110216 专利权的终止 未缴年费专利权终止IPC(主分类):G02B 6/124申请日:20051208授权公告日:20080813终止日期:20100108

 

代理信息
代理机构名称
长春菁华专利商标代理事务所 22210
代理人姓名
陶遵新


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