专利名称 ---【 提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量的加固方法 】

基本信息
申请号
CN200610024846.4
申请日
20060317
公开(公告)号
CN100373585C
公开(公告)日
20061011
申请(专利权)人
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址
200050上海市长宁区长宁路865号
发明人
张恩霞;张正选;王曦;林成鲁;林梓鑫;钱聪;贺威 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及提高MOS晶体管场区抗总剂量辐射的加固方法,属于微电子与固体电子学中、半导体集成电路加工技术领域。本发明的特征在于在金属氧化物半导体器件制备工艺流程的刻蚀硅岛、场注入、去胶清洗、场氧化之后,以及预栅氧之前,在场区氧化层中室温下注入氮、氟、硅或锗离子中的一种或者它们的组合,在惰性气氛的保护下,于800~1000℃的温度退火30~60min,然后正常进行后续工艺,注入的能量和剂量根据场氧化层的厚度决定;在氧化层中引入深电子陷阱,避免了边缘漏电流,减小了辐射产生正电荷对器件的影响,从而提高了器件的抗总剂量辐射的水平。而且这种方法不用特殊制备氧化埋层的方法,适用于商业化生产。
主权项
1.一种提高金属氧化物半导体器件场区抗总剂量辐射的加固方法,其特征在于在金属氧化 物半导体器件制备工艺流程的刻蚀硅岛、场注入、去胶清洗、场氧化之后,以及预栅氧 之前,在场区氧化层中室温下注入氮、氟、硅或锗离子中的一种或者它们的组合,在惰 性气氛的保护下,于800~1000℃的温度退火30~60min,然后正常进行后续工艺,注 入的能量和剂量根据场氧化层的厚度决定。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L21/76

 

法律状态信息
法律状态公告日
20061011
法律状态
公开 法律状态信息
CN200610024846 20061011 公开 公开
法律状态公告日
20061206
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN200610024846 20061206 实质审查的生效
法律状态公告日
20080305
法律状态
授权 法律状态信息
CN200610024846 20080305 授权 授权
法律状态公告日
20130522
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
CN200610024846 20130522 专利权的终止 未缴年费专利权终止IPC(主分类):H01L 21/76申请日:20060317授权公告日:20080305终止日期:20120317

 

代理信息
代理机构名称
上海智信专利代理有限公司 31002
代理人姓名
潘振甦


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