专利名称 ---【 氧化锌单晶的通气坩埚下降生长方法 】

基本信息
申请号
CN200610025074.6
申请日
20060324
公开(公告)号
CN100360720C
公开(公告)日
20061011
申请(专利权)人
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址
200050上海市定西路1295号
发明人
徐家跃;李新华;申慧;钱国兴;罗丽庆;武安华;林雅芳 专利类型 发明专利
摘要
本发明涉及第三代半导体材料ZnO晶体的通气坩埚下降生长方法,属于单晶生长领域。特征是:将初始原料ZnO(4N)与助熔剂按一定的摩尔比称量、配料并均匀混合,装入贵金属坩埚内;将坩埚置于事先设计好的具有通气或通水系统的保温陶瓷管内,在下降炉中加热熔化原料;待原料完全熔化后,通入气体或水并开始以小于2mm/h速率下降坩埚,待全部熔体凝固并冷却到室温后,可获得所需的ZnO单晶。本方法的特点在于,坩埚底部通入气体使坩埚局部过冷并快速形成晶核,从而能够生长出大尺寸ZnO晶体。本方法工艺设备简单,操作方便,可一炉生长多个晶体,有利于实现晶体生长的工业化。
主权项
1.一种氧化锌单晶的通气坩埚下降生长方法,包括原料配比、合成与压块、诱 导成核、垂直温度梯度设计|,其特征在于: (1)将4N的ZnO和2N的PbF2助熔剂按12~50和88~50的摩尔百分比称 量配料并均匀混合; (2)将步骤(1)配比的混合料压块或者压成致密的圆片,然后放入贵金 属坩埚内,点焊密封坩埚; (3)坩埚置于具有通气或通水系统的保温陶瓷引下管内,然后放入下降炉 中,升温熔化原料,炉温控制在1100~1350℃,生长界面温度梯度约 为30~150℃/cm,坩埚底部通入气体或水形成局部急冷区,坩埚下降 速率为0.3~2mm/h。

 

IPC信息
IPC主分类号
C30B11/00

 

法律状态信息
法律状态公告日
20061011
法律状态
公开 法律状态信息
CN200610025074 20061011 公开 公开
法律状态公告日
20061206
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN200610025074 20061206 实质审查的生效
法律状态公告日
20080109
法律状态
授权 法律状态信息
CN200610025074 20080109 授权 授权
法律状态公告日
20120613
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
CN200610025074 20120613 专利权的终止 未缴年费专利权终止IPC(主分类):C30B 11/00申请日:20060324授权公告日:20080109终止日期:20110324

 

代理信息
代理机构名称
上海智信专利代理有限公司 31002
代理人姓名
潘振甦


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