专利名称 ---【 纳米器件沟道超薄栅介质电容测试方法 】

基本信息
申请号
CN201110188786.0
申请日
20110705
公开(公告)号
CN102866303A
公开(公告)日
20130109
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029北京市朝阳区北土城西路3#
发明人
殷华湘;梁擎擎;钟汇才 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供了一种纳米器件沟道超薄栅介质电容测试方法,包括:向器件施加第一频率的交流测试信号,确定器件在第一频率下的第一阻抗矢量包括幅值与相角;向器件施加第二频率的交流测试信号,确定器件在第二频率下的第二阻抗矢量包括幅值与相角;通过第一频率、第二频率、第一阻抗以及第二阻抗确定器件的电容。本发明的纳米器件沟道超薄栅介质电容测试方法,利用射频-超高频双频阻抗测试方法直接测定纳米沟道超薄栅介质的微小电容,能以较小误差测定纳米器件沟道与栅电容,抑制超薄栅介质高漏电的寄生影响,提高纳米器件沟道的微小电容测试量程,且对纳米器件沟道电容的直接在片测试无需特殊测试结构。
主权项
一种纳米器件沟道超薄栅介质电容测试方法,包括:向测试端口施加第一频率的交流测试信号,确定器件在第一频率下的第一阻抗矢量Z1幅值|Z1|与相角Φ1;向测试端口施加第二频率的交流测试信号,确定器件在第二频率下的第二阻抗矢量Z2幅值|Z2|与相角Φ2;通过第一频率、第二频率、第一阻抗矢量以及第二阻抗矢量确定器件的电容。

 

IPC信息
IPC主分类号
G01R27/26

 

法律状态信息
法律状态公告日
20130109
法律状态
公开 法律状态信息
CN201110188786 20130109 公开 公开
法律状态公告日
20130424
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN201110188786 20130424 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G01R 27/26申请日:20110705
法律状态公告日
20161123
法律状态
发明专利申请公布后的驳回 法律状态信息
CN201110188786 20161123 发明专利申请公布后的驳回 发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):G01R 27/26申请公布日:20130109

 

代理信息
代理机构名称
北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345
代理人姓名
陈红


| 联系我们 | 网站地图 | 版权声明 |

版权:中国科学院 主办:中国科学院科技促进发展局 承办:中国科学院成都文献情报中心 蜀ICP备05003827号-12

建议使用1024×768 分辨率 IE6.0以上版本浏览器