专利名称 ---【 一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法 】

基本信息
申请号
CN201310038944.3
申请日
20130131
公开(公告)号
CN103105325B
公开(公告)日
20130515
申请(专利权)人
中国科学院半导体研究所
申请人地址
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
发明人
付英春;王晓峰;季安;杨富华 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法。该方法在多种相变材料在水平金属电极间的高精度自对准制备的基础上,通过加电脉冲控制全限制量子点的相变,并且采用TEM对相变过程进行实时监测、记录,从而能够实时检测各量子点的相变,近似地模拟相同尺寸下垂直结构PCRAM的相变过程。
主权项
一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法,该方法包括:步骤1:在衬底(101)上生长一层抗腐蚀的电热绝缘材料层(102),在该电热绝缘材料层(102)上依次淀积相变材料层(103)和牺牲材料层(104);步骤2:在牺牲材料层(104)上制备出纵向的条形纳米量级胶掩模(105);步骤3:通过该胶掩模(105),干法刻蚀相变材料层(103)和牺牲材料层(104)至电热绝缘材料层(102)的上表面;步骤4:在电热绝缘材料层(102)、条形的相变材料层(103)、牺牲材料层(104)和胶掩模(105)结构的裸露表面,淀积电极材料层(106);步骤5:在电极材料层(106)上,制备出横向的条形纳米量级的胶掩模(105),并跨越由相变材料层(103)、牺牲材料层(104)和胶掩模(105)叠成的纵向条形结构;步骤6:通过胶掩模(105),干法刻蚀电极材料层(106)至电热绝缘材料层(102)的上表面;步骤7:湿法去除牺牲材料层(104),暴露出电极材料层(106)下方以外的相变材料层(103);步骤8:通过电极材料层(106)上部的胶掩模(105),干法刻蚀去除电极材料层(106)下方以外的相变材料层(103);步骤9:超声-剥离,制备出相变材料层(103)全限制在电极材料层(106)间的水平器件;步骤10:光刻-剥离,在相变材料层(103)上方制备钝化材料层(107),并在条形结构的表面及电热绝缘材料层(102)暴露部分所在的样品的正面覆盖保护材料层(108);步骤11:在样品背面光刻,制备出开孔胶掩模(109),刻蚀衬底(101)至电热绝缘材料层(102),形成尺寸不超过1毫米的检测窗口(110),去除保护材料层(108)和开孔胶掩模(109),完成样品的制备;步骤12:裁剪样品,裁剪后的样品尺寸不超过3毫米;步骤13:在两侧的电极材料层(106)加电脉冲,通过检测窗(110)和钝化材料层(107),利用TEM原位检测相变材料层(103)的相变过程。

 

IPC信息
IPC主分类号
G01N1/28

 

法律状态信息
法律状态公告日
20130515
法律状态
公开 法律状态信息
CN201310038944 20130515 公开 公开
法律状态公告日
20130612
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN201310038944 20130612 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G01N 1/28申请日:20130131
法律状态公告日
20150506
法律状态
授权 法律状态信息
CN201310038944 20150506 授权 授权
法律状态公告日
20170322
法律状态
专利权的终止 法律状态信息
CN201310038944 20170322 专利权的终止 未缴年费专利权终止IPC(主分类):G01N 1/28申请日:20130131授权公告日:20150506终止日期:20160131

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
宋焰琴


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