专利名称 ---【 一种带自举电路的整流电路 】

基本信息
申请号
CN201510829063.2
申请日
20151125
公开(公告)号
CN105245121B
公开(公告)日
20160113
申请(专利权)人
中国科学院自动化研究所
申请人地址
100190 北京市海淀区中关村东路95号
发明人
张峰;潘东方;李金良;刘姗姗 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种带自举电路的整流电路,其包括:NMOS交叉耦合输入级电路,用于接收一个正负跳变的交流信号;PMOS开关输出级电路,用于对接收到的所述交流信号实现整流并且提供输出电流;自举电路,用于提供PMOS开关输出级的开启电压以抵消阈值损耗;所述交叉耦合连接的NMOS输入级电路包括交叉耦合连接的第一NMOS管和第二NOMS管;所述PMOS开关输出级电路320包括栅极互联的第一PMOS管和第二PMOS管;所述自举电路包括第三PMOS管和自举电容,所述第三PMOS管的源极接输出电压,漏极和栅极接所述自举电容,其利用二极管连接的第三PMOS管向所述自举电容提供充放电回路,并且使得所述自举电容充电至小于所述PMOS开关输出级电路中第一PMOS管或第二PMOS管MP2的源级一个阈值电压的电位。
主权项
1.一种带自举电路的整流电路,其包括:NMOS交叉耦合输入级电路,用于接收一个正负跳变的交流信号;PMOS开关输出级电路,用于对接收到的所述交流信号实现整流并且提供输出电流;自举电路,其包括二极管连接的PMOS管和电容,用于提供PMOS开关输出级的开启电压以抵消阈值损耗;其中,所述交叉耦合连接的NMOS输入级电路包括交叉耦合连接的第一NMOS管和第二NOMS管;所述PMOS开关输出级电路320包括栅极互联的第一PMOS管和第二PMOS管;所述自举电路包括第三PMOS管和自举电容,第三PMOS管的栅极连接至第一PMOS管和第二PMOS管的栅极,所述第三PMOS管的源极接输出电压,漏极和栅极接所述自举电容,其利用二极管连接的第三PMOS管向所述自举电容提供充放电回路,并且使得所述自举电容充电至小于所述PMOS开关输出级电路中第一PMOS管或第二PMOS管MP2的源级一个阈值电压的电位。

 

IPC信息
IPC主分类号
H02M7/217

 

法律状态信息
法律状态公告日
20160113
法律状态
公开 法律状态信息
CN201510829063 20160113 公开 公开
法律状态公告日
20160210
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN201510829063 20160210 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H02M 7/217申请日:20151125
法律状态公告日
20180330
法律状态
授权 法律状态信息
CN201510829063 20180330 授权 授权
法律状态公告日
20190322
法律状态
专利申请权、专利权的转移 法律状态信息
CN201510829063 20190322 专利申请权、专利权的转移 专利权的转移IPC(主分类):H02M 7/217登记生效日:20190305变更前 专利权人:中国科学院自动化研究所 地址:100190 北京市海淀区中关村东路95

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
宋焰琴


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