专利名称 ---【 一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器 】

基本信息
申请号
CN201710402079.4
申请日
20170531
公开(公告)号
CN108988124B
公开(公告)日
20181211
申请(专利权)人
中国科学院半导体研究所
申请人地址
100083 北京市海淀区清华东路甲35号
发明人
李亚节;周旭亮;王鹏飞;王梦琦;于红艳;李召松;李稚博;潘教青 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器,涉及半导体光电子器件技术领域。本发明提出的用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器主要包括:N电极、N型InP衬底、N型InP缓冲层、下限制层、量子阱有源区、上限制层、光栅层、N型InP层、隧道结、P型InP盖层、P型接触层、P电极。本发明利用隧道结正偏时的微分负阻特性,在器件内部进行振荡调制,使激光器能直接发射光载微波,在降低相位噪声、减小功率损耗、简化器件结构的同时,实现高速调制。
主权项
1.一种用于微波振荡源的单片集成隧道结激光器,该激光器自下而上依次为N电极(1)、N型InP衬底(2)、N型InP缓冲层(3)、下限制层(4)、量子阱有源区(5)、上限制层(6)和光栅层(7),且各层宽度相同;光栅层(7)之上还自下而上依次包括P型InP盖层(10)和P型接触层(11),P型InP盖层(10)和P型接触层(11)宽度相同,且小于光栅层(7)的宽度,其中:光栅层(7)与P型InP盖层(10)之间还自下而上依次包括N型InP层(8)和隧道结(9);N型InP层(8)置于光栅层(7)上,与光栅层(7)宽度相同;隧道结(9)置于N型InP层(8)上,宽度与P型InP盖层(10)宽度相同;隧道结(9)、P型InP盖层(10)、P型接触层(11)构成脊形波导结构;其中,所述隧道结(9)自下而上依次包括:重掺杂N型InP层和重掺杂P型InAlAs层。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01S5/32

 

法律状态信息
法律状态公告日
20181211
法律状态
公开 法律状态信息
CN201710402079 20181211 公开 公开
法律状态公告日
20190104
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN201710402079 20190104 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/32
法律状态公告日
20200519
法律状态
授权 法律状态信息
CN201710402079 20200519 授权 授权

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
任岩


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