专利名称 ---【 铜银合金微米柱的低温电沉积制备方法 】

基本信息
申请号
CN202010084923.5
申请日
20200210
公开(公告)号
CN113249725A
公开(公告)日
20210813
申请(专利权)人
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请人地址
130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
发明人
赵东旭 专利类型 发明专利
摘要
本发明提供一种铜银合金微米柱的低温电沉积制备方法,包括:S1、采用磁控溅射法在衬底上沉积一层铜薄膜;S2、采用光刻法在铜薄膜上制备至少一个圆孔;S3、以硫酸铜和硝酸银为电解液、高纯铜银合金板为阳极、沉积有铜薄膜的衬底为阴极,在0‑10℃下采用电化学沉积法在该衬底上制备铜银合金复合微米柱。本发明利用低温电沉积方法在衬底上生长出尺寸均一的铜银合金微米柱,这种低温电沉积方法能够实现铜银合金微米柱的生长,有利于制作微电子器件。
主权项
1.一种铜银合金微米柱的低温电沉积制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、采用磁控溅射法在衬底上沉积一层铜薄膜;S2、采用光刻法在所述铜薄膜上制备至少一个圆孔;S3、以硫酸铜和硝酸银为电解液、高纯铜银合金板为阳极、沉积有铜薄膜的衬底为阴极,在0-10℃下采用电化学沉积法在该衬底上制备铜银合金复合微米柱。

 

IPC信息
IPC主分类号
C23C28/02

 

法律状态信息
法律状态公告日
20210813
法律状态
公开 法律状态信息
CN202010084923 20210813 公开 公开

 

代理信息
代理机构名称
深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316
代理人姓名
曹卫良


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