专利名称 ---【 一种三维NAND存储器及其制备方法 】

基本信息
申请号
CN202011436746.9
申请日
20201211
公开(公告)号
CN112635474A
公开(公告)日
20210409
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
殷华湘;刘战峰;罗彦娜;叶甜春 专利类型 发明专利
摘要
本发明公开了一种三维NAND存储器及其制备方法,包括:制备第一半导体结构,作为三维垂直存储阵列;其中,三维垂直存储阵列包括多个三维垂直存储单元,以及第一绝缘层;在第一绝缘层上键合第一材料层;并对第一材料层进行第一减薄处理和第一表面处理,形成第一衬底层;在第一衬底层上低温制造若干低温MOS晶体管,并在若干低温MOS晶体管上形成第二绝缘层,形成第二半导体结构,作为读出与控制层;在第一绝缘层和第二半导体结构中开设通孔,并在通孔内沉积金属,形成互连层,以将第一半导体结构和第二半导体结构互连。本发明可实现更高精度、更高密度的3D存储;大幅提升内部带宽,提升存算效率和性能;减少读出电路成品工艺应力所带来的可靠性问题,提升3D闪存的成品率。
主权项
1.一种三维NAND存储器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:制备第一半导体结构,作为三维垂直存储阵列;其中,所述三维垂直存储阵列包括多个三维垂直存储单元,以及形成在多个所述三维垂直存储单元上的第一绝缘层;在所述第一绝缘层上键合第一材料层;并对所述第一材料层进行第一减薄处理和第一表面处理,形成第一衬底层;在所述第一衬底层上低温制造若干低温MOS晶体管,并在若干所述低温MOS晶体管上形成第二绝缘层,形成第二半导体结构,作为读出与控制层;在所述第一绝缘层和第二半导体结构中开设通孔,并在所述通孔内沉积金属,形成互连层,以将所述第一半导体结构和第二半导体结构互连。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L27/11524

 

法律状态信息
法律状态公告日
20210409
法律状态
公开 法律状态信息
CN202011436746 20210409 公开 公开

 

代理信息
代理机构名称
北京辰权知识产权代理有限公司 11619
代理人姓名
刘广达


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