专利名称 ---【 半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备 】

基本信息
申请号
CN202110477559.3
申请日
20210429
公开(公告)号
CN113257918A
公开(公告)日
20210813
申请(专利权)人
中国科学院微电子研究所
申请人地址
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
发明人
朱慧珑 专利类型 发明专利
摘要
公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。根据实施例,半导体器件可以包括:在衬底上实质上沿竖直方向延伸的有源区;绕有源区在竖直方向上的中间段的至少部分外周形成的栅堆叠,其中有源区包括与栅堆叠相对的沟道区以及分别在沟道区在竖直方向上的相对两侧的第一源/漏区和第二源/漏区;第一侧墙和第二侧墙,分别介于栅堆叠的导体层与第一源/漏区之间以及栅堆叠的导体层与第二源/漏区之间。
主权项
1.一种半导体器件,包括:在衬底上实质上沿竖直方向延伸的有源区;绕所述有源区在竖直方向上的中间段的至少部分外周形成的栅堆叠,其中所述有源区包括与所述栅堆叠相对的沟道区以及分别在所述沟道区在竖直方向上的相对两侧的第一源/漏区和第二源/漏区;第一侧墙和第二侧墙,分别介于所述栅堆叠的导体层与所述第一源/漏区之间以及所述栅堆叠的所述导体层与所述第二源/漏区之间。

 

IPC信息
IPC主分类号
H01L29/78

 

法律状态信息
法律状态公告日
20210813
法律状态
公开 法律状态信息
CN202110477559 20210813 公开 公开
法律状态公告日
20210831
法律状态
实质审查的生效 法律状态信息
CN202110477559 20210831 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L29/78

 

代理信息
代理机构名称
中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人姓名
倪斌


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